IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ (MT40A1G8WE-083E AAT:B)

Part Number: MT40A1G8WE-083E AAT:B


Documents / Media: datasheets MT40A1G8WE-083E AAT:B


Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип памяти: Volatile
  • Тип памяти: DRAM
  • Технология: SDRAM - DDR4
  • Объем памяти: 8Gb (1G x 8)
  • Скорость: 1.2GHz
  • Write Cycle Time - Word, Page: -
  • Время доступа: -
  • Memory Interface: Parallel
  • Напряжение питания: 1.14 V ~ 1.26 V
  • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Вид монтажа: -
  • Корпус: -
  • Исполнение корпуса: -

Цена по запросу